安森美半导体宽带隙碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术，与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。安森美半导体的碳化硅产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及碳化硅二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和碳化硅MOSFET驱动器以及符合AEC-Q100标准的器件。